一、相变存储器PCM

二元GeSb合金是无碲低功耗相变存储核心膜层，替代含碲GST材料，规避碲稀缺、高漏流缺陷，适配高密度存储阵列。

1. 嵌入式存储芯片

    物联网MCU、车规级芯片、工业控制芯片片上非易失存储，纳秒读写、循环耐久高，宽温稳定工作。

2. 高密度交叉阵列存储SOM

    两端子自选择存储单元，省去独立选通层，缩小存储单元尺寸，用于大容量数据中心存储、AI缓存芯片，低写电流、读取窗口宽。

3. 掺氮改性GeSb存储薄膜

    溅射时通入氮气调控薄膜组分，提升结晶温度与十年数据保持温度，满足车载、军工高温存储要求。

二、中红外光电探测与热成像

GeSb窄带隙半导体，红外截止波长可达14μm，77K低温暗电流极低，载流子迁移率高，适配2–14μm中长波红外波段。

1. 制冷型红外焦平面吸收薄膜

    军用夜视仪、无人机机载热成像、森林防火测温、工业高温无损检测核心感光层，弱红外信号高灵敏度捕捉。

2. 光谱分析红外传感芯片

    环境气体检测、医疗无创红外诊断、化工原料光谱识别器件。

3. 航天卫星对地遥感探测器

    耐受太空辐照、冷热交变环境，卫星红外遥感成像薄膜。

三、神经形态计算/类脑芯片

GeSb相变薄膜具备连续多级阻变特性，完美模拟人脑突触权重更新，是低功耗存算一体芯片核心材料。

1. 存算一体AI算力芯片

    大模型边缘计算、终端AI传感器，存储与计算融合，大幅降低数据搬运功耗。

2. 脉冲神经网络SNN突触器件

    低功耗仿生视觉、听觉感知芯片，适用于机器人、可穿戴智能设备。

四、薄膜热电转换器件

GeSb合金兼具半导体热电特性，薄膜型微型热电器件适配微机电MEMS系统。

1. 微型薄膜热电制冷器

    红外探测器、光学传感器无振动微型制冷膜，替代传统机械制冷。

2. 低功耗物联网自供电模块

    利用设备、人体微小温差发电，为无源传感器长效供电。

五、新能源储能薄膜电极

锗基合金高嵌锂容量，GeSb薄膜用于新型电池电极改性层。

1. 锂离子/钠离子电池负极薄膜

    薄膜纳米结构缓解充放电体积膨胀，提升电池循环寿命与容量。

2. 锂硫电池正极载体薄膜

    导电硫基复合薄膜，抑制多硫化物穿梭效应。